Тестирование Samsung DDR4 2x8GB 2133MHz
Еще со времен DDR3 оперативная память Samsung была излюбленным компонентом оверклокеров и энтузиастов. Великолепный разгон при сравнительно низких таймингах делали память Samsung популярной и востребованной. С приходом эры DDR4 ситуация практически не изменилась, память Samsung по-прежнему стабильно работает на номинальных частотах, а при разгоне покоряет высокие частоты, не даром в основе многих комплектов памяти, работающих на высоких частотах, лежат чипы Samsung. Совсем недавно мы протестировали модуль памяти объемом 16GB с частотой 2133MHz, и он смог покорить частоту 3466MHz, правда на достаточно высоких таймингах 17-17-17. Сегодня же мы протестируем два модуля по 8GB от компании Samsung, полная маркировка M378A1G43EB1-CPB.  Комплект поставки и характеристики Традиционно для Samsung память поставляется без каких-либо блистеров, ОЕМ. На памяти присутствует наклейка с основными характеристиками, каких-либо радиаторов на чипах не предусмотрено. В общем-то память DDR4 не так уж и греется, даже на высоких частотах, поэтому всяческие радиаторы от именитых брендов — это скорее дань моде и жажда выделиться, нежели реальная помощь в охлаждении чипов, поэтому в данном случае минимализм Samsung вполне оправдан. Судя по наклейке, память произведена в Китае, чипы распаяны с обеих сторон. Номинальная частота — 2133MHz, стандартные тайминги CL15.  Проверим, сможет ли память Samsung объемом 2x8GB, работающая в двухканальном режиме, достичь того же результата, что и одиночный модуль Samsung объемом 16GB. Тестирование Тестовый стенд: Материнская плата — GIGABYTE GA-Z170X-GAMING 3 Процессор — Intel Core i5-6600K @3.5GHz Кулер — Intel Box Накопитель — SSD Corsair Force GS 128GB Блок питания — Thermaltake SMART DPS G 700W Операционная система — Windows 10  Память без проблем запустилась на своей стандартной частоте 2133MHz с таймингами 15-15-15-36 и напряжением 1.2V. Интересно будет узнать, минимальные рабочие тайминги и максимальную частоту, при которой память нормально функционирует.   @2133MHz, 13-14-14-36, 1.2V Память без проблем запустилась на частоте 2133MHz с таймингами 13-14-14-36 и напряжением 1.2V. Результаты встроенного теста AIDA64 ниже.  @2400MHz, 13-14-14-36, 1.2V Следующая ступень — 2400MHz, и вновь память спокойно заработала на данной частоте. Тайминги и напряжение те же.  @2600MHz, 13-14-14-36, 1.3V Следующий шаг — 2600MHz. Для работы на данной частоте пришлось увеличить напряжение до 1.3V, кроме того, параметр CPU VCCIO был увеличен до 1.15V. После чего память без проблем запустилась и корректно заработала, без ошибок.  @2800MHz, 13-14-14-36, 1.35V При поднятии напряжения до 1.35V память заработала на частоте 2800MHz. Частота 2800MHz стала предельной для памяти Samsung с таймингами 13-14-14-36 и напряжением 1.35V.   @3000MHz, 14-15-15-36, 1.35V Частота 3000MHz далась памяти при ослаблении таймингов на одну ступень. Напряжение осталось неизменным — 1.35V. С таймингами 14-15-15-36 память стабильно прошла все тесты.   @3200MHz, 14-16-16-36, 1.35V Увы, но для достижения частоты 3200MHz пришлось ослабить тайминги еще на 1 пункт. Таким образом память заработала на частоте 3200MHz с таймингами 14-16-16-36 при напряжении 1.35V.  @3466MHz, 16-18-18-58, 1.35V Частота 3466MHz далась памяти с трудом. Не помогли ни повышение CPU VCCIO до 1.2V, ни ослабление таймингов, ни увеличение напряжения до 1.4V. В конечном итоге память запустилась и смогла работать на частоте 3466MHz с таймингами 16-18-18-58 и напряжении 1.35V.   @3600MHz, 18-19-19-63, 1.35V Максимальная частота, на которой память смогла запуститься составляет 3600MHz. Для этого пришлось ослабить тайминги до катастрофически непривлекательных 18-19-19-63. Большого смысла в частоте 3600MHz нет, так как тайминги слишком слабы, и итоговый результат хуже. К сожалению, на данной частоте память не смогла работать стабильно, вылеты и зависания.  Итоговая диаграмма производительности:  В ходе тестирования модули оперативной памяти Samsung M378A1G43EB1-CPB стандарта DDR4 показали себя с хорошей стороны. Отличный стабильный результат в разгоне — это заслуга чипов Samsung. Кроме того, память смогла работать при таймингах 13-14-14 на частоте 2800MHz, что можно назвать по-настоящему хорошим результатом. Максимальная рабочая частота, достигнутая в результате разгона составила 3466MHz, правда пришлось пожертвовать таймингами 16-18-18-58. Как бы то ни было, в результате разгона скорость записи увеличилась на 59%, скорость чтения на 42%, а скорость копирования на 45%. Память Samsung можно смело рекомендовать к покупке как в стандартные рабочие ПК, так и в ПК энтузиастов и оверклокеров, основной целью которых является получение максимальной производительности. Secundos |